研究方向
1. 高能效存算一体器件与电路研究
2. III-V族化合物半导体、二维半导体、铁电材料等新型电子器件研究
3. 新型半导体器件的模型与模拟
4. 基于新型半导体材料的载流子输运研究
个人简介
常鹏鹰，电子科学与技术（微电子）学院，校聘教授，博士生/硕士生导师。
于2021年7月以高端人才队伍建设计划引进北京工业大学。2011年获四川大学学士学位，2017年获北京大学博士学位并继续博士后研究，博士期间赴美国耶鲁大学访学一年。曾获北京市优秀毕业生、北京大学优秀毕业生/优秀博士后/连续两站博雅博士后、未来女科学家计划提名奖等多项荣誉。在基于III-V族化合物半导体、二维半导体以及铁电材料的新型微纳电子器件的载流子输运机理以及工作机制等方面取得一系列创新成果。已发表学术论文40余篇，其中以第一作者/通讯作者在IEDM、IEEE EDL、IEEE TED等权威国际会议与期刊发表论文27篇，其中最具标志性国际顶级会议IEDM3篇。以实际完成人登记计算机软件著作权6项，其中3项已用于国产TCAD工具。担任IEEE EDL、TED等高水平期刊审稿人。以项目负责人主持国家自然科学基金青年基金1项、中国博士后基金2项、北京市自然基金面上项目1项、“十四五”时期北京市属高校教师队伍建设支持计划1项，以科研骨干参与国家重点研发计划多项。
教育简历
2011.09–2017.07 北京大学 博士
2015.10–2016.11 耶鲁大学 访问学生
2007.09–2011.07 四川大学 学士
工作履历
2021.07-至今 北京工业大学 校聘教授 博士生导师
2017.07–2021.06 北京大学 博士后
学术兼职
EDA2作者，参与撰写《EDA技术白皮书》
课程教学
本科生教学：《数字电子技术》
研究生教学：《先进VLSI器件》（博士研究生课程）
科研项目
(1) 十四五时期北京市属高校教师队伍建设支持计划1项（主持）
(2) 北京市自然科学基金面上项目1项（主持）
(3) 国家自然科学基金青年项目1项（主持）
(4) 中国博士后科学基金特别资助1项（主持）
(5) 中国博士后科学基金面上一等资助1项（主持）
(6) 国家自然科学基金面上项目1项（科研骨干）
(7) 国家自然科学基金青年项目2项（科研骨干）
(8) 国家重点研发计划2项（科研骨干）
(9) 国家重点基础研究发展规划（973计划）（参与）
荣誉和获奖
1. 2022年十四五时期北京市属高校教师队伍建设支持计划优秀青年人才
2. 2021年北京工业大学高端人才队伍建设计划优秀人才
3. 2019年度未来女科学家计划提名奖
4. 2019年北京大学优秀博士后
5. 2017、2019年北京大学博雅博士后
6. 2017年北京大学优秀毕业生、北京市普通高等学校优秀毕业生
7. 2011届四川大学优秀毕业生
代表性研究成果
期刊论文：
[1] Pengying Chang*, and Yiyang Xie*, “Evaluation of HfO2-Based Ferroelectric Resonant Tunnel Junction by Band Engineering,” IEEE Electron Device Letters, vol. 44, no. 1, pp. 168-171, Jan. 2023.
[2] Pengying Chang, Gang Du, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu*, “Conduction Mechanisms of Metal-Ferroelectric-Insulator- Semiconductor Tunnel Junction on N- and P-Type Semiconductor,” IEEE Electron Device Letters, vol. 42, no. 1, pp. 119-121, Jan. 2021.
[3] Pengying Chang*, Xiaoyan Liu, Fei Liu, and Gang Du, “Phonon-Limited Mobility in n-Type Few-Layer InSe Devices From First Principles,” IEEE Electron Device Letters, vol. 40, no. 2, pp. 333-336, Feb.2019.
[4] Pengying Chang, Mengqi Fan, Gang Du, Xiaoyan Liu*, and Yiyang Xie*, “Intrinsic variations of ultrathin hafnium oxide-based ferroelectric tunnel junctions induced by ferroelectric-dielectric phase fluctuations,” Science China: Information Sciences, in press, Dec. 2022.
[5] Pengying Chang, Gang Du, and Xiaoyan Liu*, “Design space for stabilized negative capacitance in HfO2 ferroelectric-dielectric stacks based on phase field simulation,” Science China: Information Sciences, vol. 64, no. 2, pp. 122402, Jan. 2021.
[6] Pengying Chang*, and Yiyang Xie*, “Ferroelectric Tunnel Junction Based on Asymmetric Barrier-Well-Barrier Structure: The Role of Resonant Tunneling,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 5, pp. 2282-2290, May. 2023.
[7] Pengying Chang, Gang Du, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu*, “Guidelines for Ferroelectric-Semiconductor Tunnel Junction Optimization by Band Structure Engineering,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 7, pp. 3526-3531, May 2021.
[8] Mengqi Fan, Pengying Chang*, Gang Du, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu, “Impacts of Radius on the Characteristics of Cylindrical Ferroelectric Capacitors,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 12, pp. 5810-5814, Dec. 2020.
[9] Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Shaoyan Di, and Gang Du, “Evaluation of Ballistic Transport in III-V Based p-Channel MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 1053-1059, Mar. 2017.
[10] Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Lang Zeng, Kangliang Wei, and Gang Du, “Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultra-Thin Body pMOSFET,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 62, no. 3, pp. 947-954, Mar. 2015.
会议论文：
[1] Pengying Chang, Xiaoyan Liu*, Gang Du, and Xing Zhang, “Assessment of Hole Mobility in Strained InSb, GaSb and InGaSb Based Ultra-Thin Body pMOSFETs with Different Surface Orientations,” International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 192-195, 2014.
[2] Linlin Cai, Wangyong Chen, Pengying Chang*, Gang Du, Xing Zhang, Jinfeng Kang, and Xiaoyan Liu*, “A Physics-based Thermal Model of Nanosheet MOSFETs for Device-Circuit Co-design,” International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 779-782, 2018.
[3] Wangyong Chen, Yun Li, Linlin Cai, Pengying Chang, Gang Du*, and Xiaoyan Liu*, “Entire Bias Space Statistical Reliability Simulation By 3D-KMC Method and Its Application to the Reliability Assessment of Nanosheet FETs based Circuits,” International Electron Devices Meeting (IEDM), pp. 775-778, 2018.
[4] Pengying Chang, Lang Zeng, Xiaoyan Liu*, and Gang Du, “Hole Mobility in InSb-Based Devices: Dependency on Surface Orientation, Body Thickness and Strain,” The 44th European Solid-State Devices Research Conference (ESSDERC), pp. 122-125, 2014.
