研究方向
1.微波功率器件及其可靠性；
2.半导体器件失效分析；
3.半导体器件温升检测及散热优化等。
个人简介
张亚民，男，博士，副教授/博导；2015年6月毕业于北京工业大学微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位，同年留校从事教学科研工作。多年来一直致力于新型半导体器件及可靠性的研究，作为项目负责人先后主持国家自然科学基金青年基金、面上项目、北京市自然科学基金、国家重点研发计划子课题等项目10余项；发表SCI论文50余篇，其中近五年以第一作者或通讯作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等杂志发表SCI论文20余篇，获北京市科学技术奖-技术发明二等奖（排名第2）及中国电子学会技术发明二等奖（排名第2）。
学术兼职
IEEE Trans. Power Electronics, IEEE Trans. Electron Devices, IEEE Electron Device Lett.等学术刊物审稿人；国家自然科学基金函评专家；北京知识产权法院兼职技术调查官，EICT程序委员会委员。
课程教学
本科生教学：半导体物理学（国家一流课程）
研究生教学：半导体器件电子学
科研项目
1. GaN基微波功率器件三维温度表征及异质界面温升特性研究，国家自然科学基金-面上项目，62074009，2021/01-2024/12，70.8万元，主持，在研
2. 基于峰值谱技术的 GaN 基 HEMT器件陷阱演化特征及物理机制研究，国家自然科学基金-青年项目，61804006，2019/01-2021/12，30万元，主持，已结题
3. GaN基纵向双极型晶体管物理模型研究，国家重点研发计划子课题，2022YFB3604304，2022.11-2025.11，48万元，主持，在研
4. GaN基HEMT器件微区结构损伤表征及内在物理机制研究，北京市自然科学基金-面上项目，4192012，2019/01-2021/12，20万元，主持，在研Ø
5. 多物理场致GaN功率器件微区结构损伤机理及优化方法研究，北京市教委科技计划面上项目，15万元，2020/01-2023/12，主持，在研
荣誉和获奖
1. 半导体芯片结温与系统热阻构成无损检测关键技术及应用，北京市科学技术奖-技术发明二等奖，2021
2. 半导体器件结温与电子系统热阻构成无损检测关键技术及应用，中国电子学会科学技术奖-技术发明二等奖，2019
3. 页岩气开采用智能化压裂与测试集成系统技术及装备，中国石油和化工自动化应用行业科学技术奖-科技进步三等奖，2022
4. 基于战略产业需求为导向的微电子人才培养体系的创新与实践，北京市高等教育教学成果奖二等奖，2022
主要论文论著
[1] Shan Jiang, Meng Zhang, Xianwei Meng, Xiang Zheng, Shiwei Feng, and Yamin Zhang*. Trap Characterization of Trench-Gate SiC MOSFETs Based on Transient Drain Current，IEEE Transactions on Power Electronics. 38(5)：6555-6565, 2023.
[2] Xianwei Meng, Meng Zhang, Kun Duan, Xiang Zheng, Yuwei Zhai, Shiwei Feng, and Yamin Zhang*. Research on Transient Temperature Rise Measurement Method for Semiconductor Devices Based on Photothermal Reflection, IEEE Transactions on Instrumentation & Measurement. 72:9000909, 2023.
[3] Bangbing Shi , Shiwei Feng , Yamin Zhang* , Kun Bai, Yuxuan Xiao, Lei Shi, Hui Zhu, and Chunsheng Guo. Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base–Collector Voltage Drop at Low Current. IEEE Transactions on Power Electronics. 34(10)：10136-10142, 2019.
[4] Kun Bai, Shiwei Feng, Xuan Li, Shijie Pan, Xiaozhuang Lu, Zhihong Feng, Yamin Zhang*. A numerical calibration of structure-function transient thermal measurement based on Cauer RC network. Microelectronics Journal, Microelectronics Journal .135:105742, 2023.
[5] Xiang Zheng, Shiwei Feng, and Yanmin Zhang*, et al. Evidence of GaN HEMT Schottky Gate Degradation After Gamma Irradiation, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (9):3784-3788, 2019.
[6] Xiang Zheng, Shiwei Feng, Yanmin Zhang*, et al. Evaluation of the Schottky Contact Degradation on the Temperature Transient Measurements in GaN HEMTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(5):1734-1738.
[7] Xiang Zheng, Shiwei Feng, and Yanmin Zhang*, et al. A New Differential Amplitude Spectrum for Analyzing the Trapping Effect in GaN HEMTs Based on the Drain Current Transient[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 64(4): 1498-1504, 2017.
[8] Siyu Zhang, Shiwei Feng, Yamin. Zhang*, et al. Monitoring of early catastrophic optical damage in laser diodes based on facet reflectivity measurement[J]. Applied Physics Letters, 2017, 110(22): 223503.
[9] Yamin Zhang, Shiwei Feng*, Hui Zhu, et al. Study of Heat Transport Behavior in GaN-Based Transistors by Schottky Characteristics Method[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 64(5): 2166-2171, 2017.
[10] Yamin Zhang, Shiwei Feng*, Hui Zhu, et al. Effect of Self-heating on the Drain Current Transient Response in AlGaN/GaN HEMTs, IEEE Electron Device Letters, 35:345-347, 2014.
