研究方向

功率半导体器件

个人简介

副研究员，从事功率半导体器件研究方向教学与科研

教育简历

1988.9—1992.7 山东工业大学半导体物理与器件专业，大学本科；

1992.9—1995.2 北京工业大学微电子学与固态电子学专业，硕士研究生。

工作履历

1995.3至今 北京工业大学

学术兼职

中国电工技术学会电力电子专业委员会委员

中国电源学会元器件专业委员会委员

中国电机工程学会电力电子器件专业委员会委员

课程教学

本科生教学：微电子器件

研究生教学：功率半导体器件物理，半导体功率电子学

科研项目

国网科技项目：高压FRD反向恢复振荡抑制技术

江苏省工业和信息产业转型升级专项资金关键核心技术（装备）攻关项目：新能源车用IGBT配套FRD芯片研发及产业化

荣誉和获奖

1998年度北京市科学技术进步二等奖

代表性研究成果

高频高压双极功率晶体管

电网用高压IGBT和FRD坚固性研究

主要论文论著

[1] Determination of the excess carrier lifetime in the 1999 IEEE Trans. Electron 46(8):1782-1787

[2] A New 20 V-Rated Buried-Oxide Trench-Gate 2010 IEEE Trans. Electron 57(12):3531-3535

[3] 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真2001 半导体学报22(12):1565-157

[4] 面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗2009 电工技术学报24(8):106-11

[5] Influence of Backside p-Region Area Ratio on the Overcurrent Reverse Recovery of High-voltage RFC Diodes, IEEE IPEMC 2020 ECCE Asia, Pages 308-311, November 29, 2020

[6] 译著：《功率半导体器件——理论及应用》，化学工业出版社，2005年